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      富士通半導體推出全新4 Mbit FRAM產品

      發布時間:2018-11-14    點擊數:3234

      可取代SRAM的非揮發性內存,為工業控制及辦公自動化提供不需電池的解決方案


      上海,2013年11月14日 — 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝并且與標準低功耗SRAM兼容,因此能夠應用在工業控制、辦公自動化設備、醫療設備以及其他設備中,取代原有具備高速數據寫入功能的SRAM。此產品從2014年1月起開始為客戶提供樣品。

      FRAM具備非揮發性數據儲存功能,即使在電源中斷的狀況下仍能保護數據,隨機存取功能則能高速寫入數據。如果在寫入數據時遭遇電源臨時中斷或是停電,FRAM仍能夠安全地儲存數據,因此即使在電源中斷時FRAM還是能夠立即儲存參數信息并實時記錄設備上的數據。

      另外,MB85R4M2T無須任何電池即可持續地儲存數據,因此有助于發展更小型、更省電的硬件設備,且能降低總成本。其優勢包括:

      1. 減少電路板面積

      MB85R4M2T不需要通過電池儲存數據,因此能減少50%以上產品中所使用PCB板的內存與相關零件的電路板面積。

      2. 降低功耗

      在主電源關閉的情況下,SRAM將數據保存在內存,其需要消耗約15 μW/秒的電流以保存資料。由于FRAM為非揮發性內存,在電力關閉情況下不會耗費任何電力。

      3. 降低總成本

      移除電池不僅降低零件成本,也免除了所有電池更換或維修相關的周期性成本,能大幅減低開發及營運的總成本。
      富士通半導體將持續為客戶提供內存產品及解決方案并協助客戶提高產品能效,也期望能有效降低終端產品的總成本。
      欲獲得更多信息,請瀏覽以下網站:http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/

      圖2. 電路板面積比較

      圖3. 保存資料時所需功耗

      圖4. 總成本比較


       

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